CPH3318 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)

CPH3318
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1A
IS=--1A, VGS=0
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --500mA
RL=30Ω
D
VOUT
CPH3318
P.G
50Ω
S
Ratings
Unit
min
typ
max
75
pF
16
pF
9
pF
6
ns
4
ns
12
ns
4
ns
2.6
nC
0.5
nC
0.5
nC
--0.89
--1.5
V
ID -- VDS
--2.0
--6V _--5V
--1.5
--4V
--1.0
VGS= ^--3V
--0.5
0
0
1400
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03310
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
1200
ID= --0.3A --0.5A
1000
800
600
400
200
0
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT03312
--1.4
VDS= --10V
--1.2
ID -- VGS
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
1200
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT03311
1000
800
ID= ^{--0.3A, VGS= --4V}
600
ID= ^{--0.5A, VGS= --10V}
400
200
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT03313
No.7122-2/4