ATP112 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

ATP112
RDS(on) -- VGS
90
Tc=25°C
Single pulse
80
ID= --13A
70
--7A
60
--3.5A
50
40
30
20
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 --13 --14 --15 --16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| yfs | -- ID
5
VDS= --10V
IT15592
3 ^{Single pulse}
2
25^°C
10
7
Tc= ^{--25°C75°C}
5
3
2
1.0
7
--0.1
23
5 7 _--1.0
23
5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
5
VDD= --30V
3 ^{VGS= --10V}
2
td(off)
23 5
IT15594
100
tf
7
5
3
tr
2
td(on)
10
7
--0.1 ^{2 3 5}
--10
VDS= --30V
--9 ID= --25A
7 _--1.0 2 3 5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
2 3 57
IT15596
--1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15598
RDS(on) -- Tc
90
85
Single pulse
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
V GVVSG=GS-=-S4=-.-04-V-.15,0VI.D,0I=VD,-=-I3D-.-5=7AA--13A
25
20
15
10
--50 --25
0
25
50
75 100
Case Temperature, Tc -- °C
--100
7
5
VGS=0V
3 ^{Single pulse}
2
IS -- VSD
125 150
IT15593
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
0
5
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT15595
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
3
2
Ciss
1000
7
5
3
2
Coss
100
7
5
0
2
Crss
--10
--20
--30
--40
--50
--60
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT15597
ASO
--100 ^{IDP= --75A (PW≤10μs)}
7
5
3 ^{ID= --25A}
2
1001m0ms ^s
100_μs10^μs
--10
7
5
3
Operation in
2
this area is
--1.0
limited by RDS(on).
7
5
3
2 Tc=25°C
--0.1 ^{Single pulse}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
5 7--100
IT15599
No. A1754-3/4