ATP112 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

Electrical Characteristics at Ta=25°C
ATP112
Parameter
Symbol
Conditions
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--60V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--13A
ID=--13A, VGS=--10V
ID=--7A, VGS=--4.5V
ID=--3.5A, VGS=--4V
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
IS=--25A, VGS=0V
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
VDD= --30V
ID=13A
RL=2.3Ω
D
VOUT
ATP112
P.G
50Ω
S
Ratings
Unit
min
typ
max
--60
V
--1
μA
±10
μA
--1.2
--2.6
V
24
S
33
43 mΩ
42
59 mΩ
45
63 mΩ
1450
pF
155
pF
125
pF
10
ns
80
ns
150
ns
120
ns
33.5
nC
5.3
nC
7.9
nC
--0.97
--1.5
V
--25
Tc=25°C
Single pulse
--20
--15
ID -- VDS
--4.0V ^--3.5V
--4.5V
--3.0V
--10
--5
VGS= --2.5V
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT15590
--60
VDS= --10V
Single pulse
--50
ID -- VGS
--40
--30
--20
--10
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0 --5.5 --6.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT15591
No. A1754-2/4