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3LP03SS Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
3LP03SS
RDS(on) -- VGS
5.0
Ta=25°C
4.5
4.0
ID=120mA
3.5
3.0
60mA
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT08162
yfs -- ID
1.0
7
VDS= --10V
5
3
2
Ta= --25°C75°C
0.1
7
25°C
5
3
2
0.01
--0.001 2 3
3
2
5 7--0.01 2 3 5 7 --0.1
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
2 3 5 7 --1.0
IT07657
VDS= --15V
VGS= --4V
td(off)
tf
10
td(on)
7
tr
5
RDS(on) -- Ta
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
IDID==---6-01m20Am, AV,GVSG=S--=2.-5-4V.0V
1.0
0.5
0
--60 --40 --20 0
20 40 60 80 100 120 140
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT07656
IS -- VSD
--1.0
7
VGS=0V
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
0
60
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT07658
Ciss, Coss, Crss -- VDS
50
40
Ciss
30
20
3
2
--0.1
--4.0
VDS= --10V
--3.5 ID= --0.25A
2
3
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
5
7
IT07659
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT07661
10
Coss
Crss
0
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08163
RDS(on) -- ID
5
VGS= --4V
3
2
Ta=75°C
25°C
--25°C
1.0
7
5
--0.01
23
5 7 --0.1
23
Drain Current, ID -- A
5 7 --1.0
IT08164
No.8649-3/4