3LP03SS Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

3LP03SS
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Parameter
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--250mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--250mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--250mA
IS=--250mA, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
9.5
ns
5
ns
15
ns
13
ns
0.8
nC
0.3
nC
0.2
nC
--0.9
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
7029-003
Top View
1.4
0.25
3
12
0.2
0.1
0.45
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--4V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --120mA
RL=125Ω
D
VOUT
3LP03SS
P.G
50Ω
S
12
3
Bottom View
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : SSFP
--0.30
--0.25
ID -- VDS
2.0V
--0.20
--0.15
--0.10
VGS=1.5V
--0.05
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT07653
--0.50
--0.45
--0.40
--0.35
--0.30
--0.25
--0.20
--0.15
--0.10
--0.05
0
0
ID -- VGS
VDS= --10V
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT07654
No.8649-2/4