2SJ684 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

2SJ684
--90
Tc=25°C
--80 ^{Single pulse}
--70
--60
ID -- VDS
--8V
--10V
--6.0V
--4.0V
--50
--40
--30
--20
VGS= --3.0V
--10
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13308
RDS(on) -- VGS
60
ID= --23A
Single pulse
50
40
30
Tc=75_°C
20
25°_C
--25°_C
10
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
⏐yfs⏐ -- ID
3
2
VDS= --10V
Single pulse
100
7
5
3
2
10
25^°C
Tc= ^--25°C
75^°C
7
5
3
2
--9 --10
IT13310
1.0
--0.1
3
2
23
5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
2 3 5 7 _--100
IT13312
VDD= --50V
VGS= --10V
1000
7
5
tf
3
2
td(on)
tr
100
7
5
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5 7}
Drain Current, ID -- A
IT13314
--90
VDS= --10V
--80 ^{Single pulse}
ID -- VGS
--70
--60
--50
--40
--30
--20
--10
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT13309
RDS(on) -- Tc
50
Single pulse
45
40
35
30
25
20
V GSV=G--S4=V,--I1D0=V,--I2D3=A--23A
15
10
5
0
--50 --25
0
25
50
75 100
Case Temperature, Tc -- °C
2
--100
7
VGS=0V
Single pulse
5
IS -- VSD
3
2
125 150
IT13311
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
5
3
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT13313
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
2
Ciss
10000
7
5
3
2
1000
7
5
3
0
Coss
Crss
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13315
No. A1058-3/4