2SJ683 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

2SJ683
--130
Tc=25°C
--120
--110
ID -- VDS
--4V
--100
--90
--80
--70
--60
--50
VGS= --3V
--40
--30
--20
--10
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13297
RDS(on) -- VGS
30
28
ID= --33A
Single pulse
26
24
22
20
18
16
14
12
Tc=75_°C
10
25°_C
8
6
--25°_C
4
2
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
⏐yfs⏐ -- ID
3
2 ^{VDS= --10V}
IT13299
100
7
5
3
2
10
Tc= ^--25°C
25^°C
75^°C
7
5
3
2
1.0
--0.1 ^{2 3 5 7--1.0 2 3 5 7} --10 ^{2 3 5 7--100 2 3}
Drain Current, ID -- A
IT13301
SW Time -- ID
3
VDD= --30V
2
VGS= --10V
td(off)
1000
7
5
tf
3
2
100
7
5
--0.1
23
tr
td(on)
5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10 2 3
Drain Current, ID -- A
5 7 _--100
IT13303
--130
--120 ^{VDS= --10V}
ID -- VGS
--110
--100
--90
--80
--70
--60
--50
--40
--30
--20
--10
0
0
25
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT13298
Single pulse
20
15
10
VVGGS=S=--4--V1,0IVD,=I
--33A
D= ^--33A
5
0
--50 --25
0
25
50
75 100 125 150
3
2 _VGS=0V
--100
75
Single puls
3
2
Case Temperature, Tc -- °C
IS -- VSD
IT13300
--10
75
3
2
--1.0
75
3
2
--0.1
75
3
2
--0.01
75
3
2
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT13302
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
f=1MHz
2
Ciss
10000
7
5
3
2
1000
7
5
3
0
Coss
Crss
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13304
No. A1057-3/4