2SJ670 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

2SJ670
RDS(on) -- VGS
800
Tc=25°C
750
ID= --0.8A
700
650
600
550
500
450
400
350
300
0
--2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- ID
10
7 ^{VDS= --10V}
5
--18 --20
IT09788
3
2
1.0
7
Tc=25^{°C --25°}_7C5°^C
5
3
2
0.1
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10
Drain Current, ID -- A
IT06021
SW Time -- ID
100
7
td(off)
5
tf
3
2
10
td(on)
7
5
tr
3
2
1.0
--0.1
23
--10
VDS= --50V
--9 ID= --1.5A
VDD= --50V
VGS= --10V
5 7 _--1.0
23
5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT09790
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
2
4
6
8
10
12
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT09791
RDS(on) -- Tc
800
750
700
650
600
550
500
450
I D= _{I--D0.=8A--0, .V8AG,S=V-G-4SV=} ^--10V
400
350
300
250
200
--60 --40 --20 0
20 40 60 80 100
Case Temperature, Tc -- °C
--10
7 ^VGS=0V
IS -- VSD
5
3
2
120 140
IT09789
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.2
1000
7
5
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT06022
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
3
2
100
7
5
Coss
Crss
3
2
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06024
ASO
--10
7 ^{IDP= --6A}
PW≤10µs
5
3
1ms ¹⁰⁰_µs
2 ID= --1.5A
--1.0
7
5
3
Operation in this area
DC _{ope1ra0t0iomns}
10ms
2
is limited by RDS(on).
--0.1
7
5
3
2 Tc=25°C
Single pulse
--0.01
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5 7--100 2}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT09792
No.8354-3/4