2SJ670 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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Parameter
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007A-003
Top View
4.5
1.6
1
2
3
0.4
0.5
1.5
3.0
2SJ670
Symbol
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--1.5A
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--1.5A
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--1.5A
IS=--1.5A, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
11
nC
2.6
nC
2
nC
--0.83
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
1.5
0.4
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --50V
ID= --0.8A
RL=62.5Ω
D
VOUT
2SJ670
P.G
50Ω
S
0.75
Bottom View
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : PCP
ID -- VDS
--3.0
--2.5
--4.0V
--6.0V
--3.5V
--2.0
--1.5
--1.0
VGS= --3.0V
--0.5
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06017
ID -- VGS
--6
VDS= --10V
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT06018
No.8354-2/4