2SJ661 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

2SJ661
ID -- VDS
--80
Tc=25°C
--70
--60
--50
--4V
--40
--30
--20
VGS= --3V
--10
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08748
RDS(on) -- VGS
70
ID= --19A
60
--80
VDS= --10V
--70
ID -- VGS
--60
--50
--40
--30
--20
--10
0
0
70
25^°C
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT08749
RDS(on) -- Tc
60
50
40
30
Tc=75°C
25°C
50
40
30
IDI=D=--1--91A9A, ^V, _{VGGS=S=--4--V10V}
--25°C
20
20
10
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- ID
100
7 ^{VDS= --10V}
5
--9 --10
IT08750
3
25^°C
2
10
Tc=
--25^°C
75^°C
7
5
3
2
1.0
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5 7} --100
1000
7
VDD= --30V
VGS= --10V
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT08752
3
2
tr
100
7
tf
5
td(on)
3
2
10
0
--50
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
10000
7
5
--25
0
25
50
75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IT08751
IS -- VSD
VGS=0V
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT08753
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
3
2
1000
7
5
3
2
Coss
Crss
10
--0.1
2 3 5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10 2 3 5 7 _--100
Drain Current, ID -- A
IT08754
100
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08755
No.8586-3/4