2SJ660 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

2SJ660
--50
Tc=25°C
--45
ID -- VDS
--40
--4V
--35
--30
--25
--20
--15
--10
VGS= --3V
--5
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08737
RDS(on) -- VGS
140
ID= --13A
120
--50
VDS= --10V
--45
ID -- VGS
--40
--35
--30
--25
--20
--15
--10
--5
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT08738
RDS(on) -- Tc
140
120
100
80
Tc=75°C
60
25°C
40
--25°C
20
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- ID
100
7 ^{VDS= --10V}
5
--9 --10
IT08739
3
25^°C
2
10
7
Tc=
--25^°C
75^°C
5
3
2
1.0
7
5
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5 7} --100
Drain Current, ID -- A
IT08741
SW Time -- ID
5
VDD= --30V
3
td(off)
VGS= --10V
2
100
tr
7
5
tf
3
2
td(on)
10
--0.1
23
5 7 _--1.0
2 3 5 7 _--10
23
Drain Current, ID -- A
IT08743
100
80
60
I DI=D=--1--31A3A, ^V, _{VGGS=S=--4--V10V}
40
20
0
--50
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
10000
7
5
3
2
--25
0
25
50
75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IT08740
IS -- VSD
VGS=0V
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT08742
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
1000
7
5
3
2
100
7
5
0
Coss
Crss
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08744
No.8585-3/4