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2SJ659 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
--30
Tc=25°C
--25
2SJ659
ID -- VDS
--10V
--6V
--30
VDS= --10V
--25
ID -- VGS
--20
--20
--15
--15
--4V
--10
--10
--5
VGS= --3V
0
0
--300
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08725
RDS(on) -- VGS
ID= --7A
--250
--200
--150
Tc=75°C
25°C
--100
--25°C
--50
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- ID
100
7 VDS= --10V
5
--9 --10
IT08727
3
2
25°C
10
7
5
3
Tc=
--25°C
75°C
2
1.0
7
5
3
--0.1
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
--0.1
23
5 7 --1.0
2 3 5 7 --10
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
23
IT08729
VDD= --30V
VGS= --10V
td(off)
tf
tr
td(on)
23
5 7 --1.0
23
Drain Current, ID -- A
5 7 --10
IT08731
--5
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT08726
RDS(on) -- Tc
350
300
250
200
150
I
D= --7A, V
ID= --7A,
GS= --4V
VGS= --10V
100
50
0
--50
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
10000
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
0
--25
0
25
50
75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IS -- VSD
IT08728
VGS=0V
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT08730
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08732
No.8584-3/4