1HP04CH Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

1HP04CH
yfs -- ID
5
VDS= --10V
3
2
100
7
5
3
2
Ta=
--25^°C
75^°C
25^°C
10
7
5
3
2
1.0
--0.1
7
5
3
2
23
5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10 2 3
Drain Current, ID -- mA
SW Time -- ID
5 7 _--100
IT12914
VDD= --50V
VGS= --10V
1000
7
5
3
2
td(off)
tf
100
7
5
td(on)
3
2
tr
10
--1.0
23
5 7 _--10
23
Drain Current, ID -- mA
VGS -- Qg
--10
VDS= --50V
--9 ID= --80mA
--8
5 7 _--100
IT12916
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT12918
PD -- Ta
0.7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
--0.2
5
3
10
7
5
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT12915
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
1.0
Crss
7
5
0 --10 --20 --30 --40 --50 --60 --70 --80 --90 --100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12917
ASO
7
5 _{IDP= --320mA}
3
PW≤10µs
2
--0.1 ID= --80mA
7
5
100ms10ms
100µs
3
2
--0.01
7
5
Operation in this area
is limited by RDS(on).
3 _Ta=25°C
2 _{Single pulse}
--0.001 ^{Mounted on a ceramic board (900mm2✕0.8mm)}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5 7--100 2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12919
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Mounted _{on a ceramic board (900mm 2✕0.8mm)}
00
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT12909
No. A0926-3/4