1HP04CH Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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Parameter
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-004
2.9
3
1
0.95
2
0.4
1HP04CH
Symbol
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--80mA
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--80mA
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--80mA
IS=--80mA, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
34
ns
28
ns
490
ns
160
ns
1.7
nC
0.42
nC
0.20
nC
--0.84
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
0.15
0.05
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --50V
ID= --40mA
RL=1250Ω
D
VOUT
Rg
1HP04CH
P.G
50Ω
S
Rg=5kΩ
ID -- VDS
--80
--70
--3.0V
--60
--50
--5.0V
VGS= ^--2.5V
--40
--30
--20
--10
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12910
RDS(on) -- VGS
40
Ta=25°C
35
30
25
20
--40mA
15
ID= --20mA
10
5
0
0
--2
--4
--6
--8 --10 --12 --14 --16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT12912
--160
VDS= --10V
--140
ID -- VGS
--120
--100
--80
--60
--40
--20
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT12911
RDS(on) -- Ta
40
35
30
25
20
15
10
VVGGSS==---4-1V0, _VI ^D, _{I=D-=-2-0-m40AmA}
5
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT12913
No. A0926-2/4