JCH3101 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor For Automotive Audios

JCH3101
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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--400mA, IB=--40mA
IC=--400mA, IB=--40mA
IC=--10μA, IE=0A
IC=--1mA, RBE=∞
IE=--10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
--0.2
--0.6
V
--0.85
--1.2
V
--100
V
--100
V
--6
V
80
ns
700
ns
40
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-003
2.9
3
1
0.95
2
0.4
0.15
0.05
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
OUTPUT
RL
50Ω
+
100μF
5V
+
470μF
--50V
IC= --10IB1=10IB2= --400mA
IC -- VCE
--1.0
--0.9
--0.8
--20mA
--25mA--15mA
--10mA
--0.7
--5mA
--0.6
--0.5
--3mA
--0.4
--0.3
--2mA
--0.2
--0.1
0
0
5
--1mA
IB=0mA
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT07232
hFE -- IC
VCE= --5V
3
Ta=85_°C
25°C
2
--40_°C
100
7
5
3
--0.01
23
5 7 _--0.1
23
Collector Current, IC -- A
5 7 _--1.0
IT13163
--1.0
VCE= --5V
--0.8
IC -- VBE
--0.6
--0.4
--0.2
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT13162
fT -- IC
3
VCE= --10V
2
100
7
5
3
--0.01
23
5 7 _--0.1
23
Collector Current, IC -- A
5 7 _--1.0
IT07238
No. A0710-2/4