2SJ658 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Speed Switching Applications

2SJ658
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Parameter
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
IGSS
VGS(off)
^yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VGS=±8V, VDS=0
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--1A
ID=--1A, VGS=--4V
ID=--0.5A, VGS=--2.5V
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--2A
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--2A
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--2A
IS=--2A, VGS=0
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--4V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --10V
ID= --1A
RL=10Ω
D
VOUT
2SJ658
P.G
50Ω
S
Ratings
min
typ
--0.3
1.8
3
115
145
410
60
40
9
27
42
38
4.5
0.6
1.2
--0.9
Unit
max
±10
µA
--1.4
V
S
150 mΩ
210 mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
--1.2
V
ID -- VDS
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
VGS= --1.0V
--0.4
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT02753
--4.0
VDS= --10V
--3.5
ID -- VGS
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT02754
No.7552-2/4