K4H511638B-G Datasheet, PDF (5/24 Pages) Samsung semiconductor – 512Mb B-die DDR SDRAM Specification

DDR SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)
4.0 Ball Description (Bottom View)
DDR SDRAM
128M x 4
1 VSSQ
2
NC
3
VSS
A
7
VDD
8
NC
9 VDDQ
NC
VDDQ
DQ3
B
DQ0
VSSQ
NC
NC
VSSQ
NC
C
NC
VDDQ
NC
NC
VDDQ
DQ2
D
DQ1
VSSQ
NC
NC
VSSQ
DQS
E
NC
VDDQ
NC
VREF
VSS
DM
F
NC
VDD
NC
CK
CK
G
WE
CAS
A12
CKE
H
RAS
CS
A11 A8
A6
A9
A7
A5
J
K
L
BA1 A0
A2
BA0 A10/AP A1
A4
VSS
M
VDD
A3
64M x 8
1 VSSQ
2
DQ7
3
VSS
A
7
VDD
8
DQ0
9 VDDQ
NC
VDDQ
DQ6
B
DQ1
VSSQ
NC
NC
VSSQ
DQ5
C
DQ2
VDDQ
NC
NC
VDDQ
DQ4
D
DQ3
VSSQ
NC
NC
VSSQ
DQS
E
NC
VDDQ
NC
VREF
VSS
DM
F
NC
VDD
NC
CK
CK
G
WE
CAS
A12
CKE
H
RAS
CS
A11 A8
A6
A9
A7
A5
J
K
L
BA1 A0
A2
BA0 A10/AP A1
A4
VSS
M
VDD
A3
32M x 16
1 VSSQ
2 DQ15
3
VSS
A
7
VDD
8
DQ0
9 VDDQ
DQ14
VDDQ
DQ13
B
DQ2
VSSQ
DQ1
DQ12
VSSQ
DQ11
C
DQ4
VDDQ
DQ3
DQ10
VDDQ
DQ9
D
DQ6
VSSQ
DQ5
DQ8
VSSQ
UDQS
E
LDQS
VDDQ
DQ7
VREF
VSS
UDM
F
LDM
VDD
NC
CK
CK
G
WE
CAS
A12
CKE
H
RAS
CS
A11 A8
A6
A9
A7
A5
J
K
L
BA1 A0
A2
BA0 A10/AP A1
A4
VSS
M
VDD
A3
Organization
128Mx4
64Mx8
32Mx16
Row Address
A0~A12
A0~A12
A0~A12
Column Address
A0-A9, A11, A12
A0-A9, A11
A0-A9
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Row & Column address configuration
Rev. 1.3 June. 2005