HP8MA2 Datasheet, PDF (4/22 Pages) Rohm – 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET

HP8MA2
　 　 　 　　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 _Datasheet
lGate charge characteristics (T_a = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
<Tr2>
Q_g*5
Q_gs*5
Q_gd*5
V_DD ⋍ 15V
I_D = 18A
V_GS = 10V
V_GS = 4.5V
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Q_g*5
Q_gs*5
Q_gd*5
V_GS = -10V
V_DD ⋍ -15V
I_D = -15A _{VGS = -4.5V}
Values
Unit
Min. Typ. Max.
- 22.0 -
- 10.5 -
nC
- 3.0 -
- 4.2 -
Values
Unit
Min. Typ. Max.
- 25.0 -
- 12.8 -
nC
- 4.5 -
- 4.7 -
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (T_a = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
Forward voltage
I_S*1
I_SP*2
V_SD*5
T_a = 25℃
V_GS = 0V, I_S = 5.83A
-
- 5.83
A
-
- 48
-
- 1.2 V
<Tr2>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
I_S*1
I_SP*2 ^{Ta = 25℃}
-
- -5.83
A
-
- -48
Forward voltage
V_SD*5 V_GS = 0V, I_S = -5.83A
-
- -1.2 V
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　
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20160706 - Rev.002