RQ3E160AD Datasheet, PDF (3/12 Pages) Rohm – Nch 30V 16A Middle Power MOSFET

RQ3E160AD
　　　　　　
lElectrical characteristics (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
C_iss
C_oss
C_rss
t_d(on)*5
t_r*5
t_d(off)*5
t_f*5
V_GS = 0V
V_DS = 15V
f = 1MHz
V_DD ⋍ 15V,V_GS = 10V
I_D = 8A
R_L = 1.87Ω
R_G = 10Ω
　 　 　 　 　 　 　 　 _Datasheet
Values
Unit
Min. Typ. Max.
- 2550 -
- 350 - pF
- 290 -
-
9
-
-
30
-
ns
-
80
-
-
45
-
lGate charge characteristics (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Q_g*5
V_GS = 10V
-
51
-
V_DD ⋍ 15V
-
25
-
nC
Q_gs*5 ^I_D ^{= 16A}
V_GS = 4.5V _-
8
-
Q_gd*5
- 10.5 -
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Body diode continuous
forward current
Body diode
pulse current
I_S*1
T_a = 25℃
I_SP*2
-
- 1.6
A
-
- 64
Forward voltage
V_SD*5 V_GS = 0V, I_S = 1.6A
-
- 1.2 V
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
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20140821 - Rev.001