RQ3E075AT Datasheet, PDF (3/13 Pages) Rohm – Pch -30V -18A Middle Power MOSFET

RQ3E075AT
　　　　　　
lElectrical characteristics (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
C_iss
C_oss
C_rss
t_d(on)*5
t_r*5
t_d(off)*5
t_f*5
V_GS = 0V
V_DS = -15V
f = 1MHz
V_DD ⋍ -15V,V_GS = -10V
I_D = -3.8A
R_L ⋍ 3.9Ω
R_G = 10Ω
　 　 　 　 　 　 　 　 _Datasheet
Values
Unit
Min. Typ. Max.
- 930 -
- 170 - pF
- 130 -
- 9.8 -
- 9.2 -
ns
-
58
-
-
27
-
lGate charge characteristics (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Q_g*5
V_GS = -10V _-
21.0
-
V_DD ⋍ -15V
- 10.4 -
nC
Q_gs*5 ^ID ^{= -7.5A} V_GS = -4.5V -
3.2
-
Q_gd*5
- 4.0 -
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
Forward voltage
I_S
I_SP*2
V_SD*5
T_a = 25℃
V_GS = 0V, I_S = -1.67A
-
- -1.67 A
-
- -30 A
-
- -1.2 V
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
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20160224 - Rev.002