RF4E100AJ Datasheet, PDF (3/15 Pages) Rohm – Nch 30V 10A Middle Power MOSFET

RF4E100AJ
　　　　　　
lElectrical characteristics (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
C_iss
C_oss
C_rss
t_d(on)*4
t_r*4
t_d(off)*4
t_f*4
V_GS = 0V
V_DS = 15V
f = 1MHz
V_DD ⋍ 15V,V_GS = 4.5V
I_D = 5A
R_L ⋍ 3Ω
R_G = 10Ω
　　　　　　　　
Datasheet
Values
Unit
Min. Typ. Max.
- 1460 -
- 170 -
pF
- 115 -
-
21
-
-
21
-
ns
-
54
-
-
20
-
lGate charge characteristics (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Q_g*4
Q_gs*4
Q_gd*4
V_DD ⋍ 15V,
I_D = 10A,
V_GS = 4.5V
Values
Unit
Min. Typ. Max.
- 13.0 -
-
3.3
-
nC
-
3.2
-
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (T_a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
Forward voltage
I_S
-
T_a = 25℃
I_SP*1
-
V_SD*4 V_GS = 0V, I_S = 1.67A
-
- 1.67 A
-
36
A
-
1.2
V
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
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20151130 - Rev.001