RB095B-30 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Rohm – Schottky barrier diode

Diodes
Schottky barrier diode
RB095B-30
RB095B-30
zApplications
General rectification
zFeatures
1) Power mold type. (CPD)
2) Low VF
3) High reliability
zConstruction
Silicon epitaxial planar
zExternal dimensions (Unit : mm)
6.5±0.2
5.1±0.2
　　　 0.1
0.05
2.3±0.2
　　　 0.1
0.5±0.1
zLand size figure
6.0
1.2
0.8
（1）
①
1.5
0.75
0.9
（2） （3） 0.65±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
2-R0.3
0.55±0.1
　　　　 0.55
1.2±0.2
2.2
0.5
2.0
（1）
（2） （3）
R0.45
ROHM : CPD
JEITA : SC-63
0.5
0.95
24.5
① Manufacture Date
zTaping dimensions (Unit : mm)
2.0±0.05
4.0±0.1
8.0±0.1
1.6
1.6
CPD 2.3 2.3
zStructure
φ1.55±0.1
　　　　　 0
0.4±0.1
6.8±0.1
8.0±0.1
φ3.0±0.1
2.7±0.2
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Param eter
Sym bol
Lim its
Unit
Revers e voltage (repetitive peak)
V_RM
35
V
Revers e voltage (DC)
V_R
30
V
Average rectified forward current（*1）
Io
6
A
Forward current s urge peak （60Hz・1cyc）（*1） I_FSM
35
A
Junction tem perature
Tj
150
℃
Storage tem perature
Ts tg
-40 to +150
℃
(*1) Per chip : Io/2
zElectrical characteristic (Ta=25°C)
Param eter
Sym bol Min. Typ. Max.
Forward voltage
Revers e current
Therm al im pedance
V_F
-
-
0.425
I_R
-
-
200
θjc
-
-
6.0
Unit
V
µA
℃/W
Conditions
I_F=3.0A
V_R=30V
junction to cas e
Rev.A
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