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HYI25D512160C Datasheet, PDF (29/35 Pages) Qimonda AG – 512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
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Internet Data Sheet
HYI25D512160C[C/E/F/T]
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
TABLE 22
IDD Specification
–6
–5
Unit
Note
DDR333
DDR400B
Symbol
Typ.
Max.
Typ.
Max.
IDD0
70
85
75
90
mA
1)2)3)
IDD1
80
95
90
110
mA
1)2)3)
IDD2P
1.1
4.6
1.1
4.6
mA
1)3)
IDD2F
21
25
25
30
mA
1)3)
IDD2Q
15
22
17
23
mA
1)3)
IDD3P
11
15
12
16
mA
1)3)
IDD3N
33
40
38
45
mA
1)3)
IDD4R
95
115
110
135
mA
1)3)
IDD4W
100
120
115
135
mA
1)3)
IDD5
130
175
145
190
mA
1)3)
IDD6
1.6
5
1.6
5
mA
1)3)4)
IDD7
190
230
210
250
mA
1)3)
1) Test conditions for typical values: VDD = 2.5 V (DDR333), VDD = 2.6 V (DDR400), TA = 25 °C, test conditions for maximum values: VDD =
2.7 V, TA = 10 °C
2) IDD specifications are tested after the device is properly initialized and measured at 200 MHz
3) Input slew rate = 1 V/ns
4) Enables on-chip refresh and address counters
Rev. 1.0, 2006-11
29
11082006-S9OT-UFSN
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