SFH7221_12 Datasheet, PDF (5/10 Pages) OSRAM GmbH – GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor

Kennwerte Fototransistor (T_A = 25 °C, λ = 880 nm)
Characteristics Phototransistor
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ_{S max}
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ
S = 10% von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 μm)
A
Radiant sensitive area (∅ 240 μm)
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L×B
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche H
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
ϕ
Half angle
Kapazität
Capacitance
V_CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
V_CE = 25 V, E = 0
Fotostrom
Photocurrent
E_e = 0.1 mW/cm², V_CE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise time/Fall time
I_C = 1 mA, V_CC = 5 V, R_L = 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I_C = 5 μA, E_e = 0.1 mW/cm²
C_CE
I_CEO
I_PCE
t_r, t_f
V_CEsat
Wert
Value
990
440 … 1150
0.038
0.45 × 0.45
0.5 … 0.7
± 60
5.0
1 (≤ 200)
≥ 16
7
150
SFH 7221
Einheit
Unit
nm
nm
mm²
mm × mm
mm
Grad
deg.
pF
nA
μA
μs
mV
2009-03-05
5