SFH7221_12 Datasheet, PDF (3/10 Pages) OSRAM GmbH – GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor

Kennwerte IRED (T_A = 25 °C)
Characteristics IRED
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of radiation
I_F = 100 mA, t_p = 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von I_max, I_F = 100 mA
Spectral bandwidth at 50% of I_max, I_F = 100 mA
Abstrahlwinkel
Viewing angle
λ_peak
Δλ
ϕ
Aktive Chipfläche
A
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of active chip area
L×B
L×W
Schaltzeiten, I_e von 10% auf 90% und von 90% auf t_r, t_f
10% Switching times, I_e from 10% to 90 % and from
90% to 10%
I_F = 100 mA, R_L = 50 Ω
Kapazität
C_o
Capacitance
V_R = 0 V, f = 1 MHz
Durchlassspannung
Forward voltage
I_F = 100 mA, t_p = 20 ms
V_F
I_F = 1 A, t_p = 100 μs
V_F
Sperrstrom
I_R
Reverse current
V_R = 5 V
Gesamtstrahlungsfluss
Φ_e
Total radiant flux
I_F = 100 mA, t_p = 20 ms
Temperaturkoeffizient von I_e bzw. Φ_e
TC_I
Temperature coefficient of I_e bzw. Φ_e
I_F = 100 mA, I_F = 100 mA
SFH 7221
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
80
± 60
0.09
0.3 × 0.3
0.5
nm
Grad
deg.
mm²
mm²
μs
15
pF
1.5 (≤ 1.8)
V
3.0 (≤ 3.8)
V
0.01 (≤ 1)
μA
23
mW
– 0.5
%/K
2009-03-05
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