Q65110A2700 Datasheet, PDF (3/9 Pages) OSRAM GmbH – Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0

Version 1.0
Parameter
Bezeichnung
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 950 nm)
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E_e = 0.5 mW/cm², λ = 950 nm)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E_e = 0.5 mW/cm², λ = 950 nm)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V_R = 5 V, R_L = 50 Ω, λ = 850 nm, I_P = 800 µA)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I_F = 100 mA, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V_R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V_O
Temperaturkoeffizient von V_O
Temperature coefficient of I_SC
Temperaturkoeffizient von I_SC
(λ = 950 nm)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V_R = 10 V, λ = 950 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
(V_R = 10 V, λ = 950 nm)
BPW 34 F
Symbol
Symbol
η
V_O
Values
Werte
0.91
330 (≥ 275)
Unit
Einheit
Electro
ns
/Photon
mV
I_SC
25
µA
t_r, t_f
0.02
µs
V_F
1.3
V
C₀
72
pF
TC_V
-2.6
mV / K
TC_I
0.18
%/K
NEP
D^*
0.036
7.3e12
pW /
Hz^½
cm x
Hz^½ / W
2007-03-29
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