Q65110A2700 Datasheet, PDF (2/9 Pages) OSRAM GmbH – Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0

Version 1.0
Maximum Ratings (T_A = 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Reverse voltage
Sperrspannung
(t < 2 min)
Total power dissipation
Verlustleistung
Characteristics (T_A = 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Photocurrent
Fotostrom
(V_R = 5 V, λ = 950 nm, E_e=1 mW/cm²)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
Dark current
Dunkelstrom
(V_R = 10 V)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 950 nm)
BPW 34 F
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
V_R
V_R
P_tot
Values
Werte
-40 ... 100
16
32
150
Unit
Einheit
°C
V
V
mW
Symbol
Symbol
I_P
Values
Werte
50 (≥ 40)
Unit
Einheit
µA
λ_{S max}
λ_10%
A
LxW
ϕ
I_R
950
nm
780 ... 1100 nm
7.02
mm²
2.65 x 2.65
mm x
mm
± 60
°
2 (≤ 30)
nA
S_{λ typ}
0.7
A/W
2007-03-29
2