BPX81_01 Datasheet, PDF (3/6 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor

Kennwerte (T_A = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ_{S max}
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ
S = 10% von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L×B
L×W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche H
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
ϕ
Half angle
Kapazität
C_CE
Capacitance
V_CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
I_CEO
Dark current
V_CE = 25 V, E = 0
BPX 81
Wert
Value
850
440 … 1070
Einheit
Unit
nm
nm
0.17
0.6 × 0.6
1.3 … 1.9
± 18
6
mm²
mm × mm
mm
Grad
deg.
pF
25 (≤ 200)
nA
2001-02-21
3