BPX81_01 Datasheet, PDF (2/6 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor

Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Verlustleistung, T_A = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
T_S
T_S
V_CE
I_C
I_CS
P_tot
R_thJA
BPX 81
Wert
Value
– 40 … + 80
230
Einheit
Unit
°C
°C
300
°C
32
V
50
mA
200
mA
90
mW
750
K/W
2001-02-21
2