BPX38-2-3 Datasheet, PDF (3/11 Pages) OSRAM GmbH – Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1

Version 1.1
Characteristics (T_A = 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
Half angle
Halbwinkel
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, E_e = 0.5 mW/cm², V_CB = 5 V)
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(E_V = 1000 lx, Std. Light A, V_CB = 5 V)
Capacitance
Kapazität
(V_CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V_CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V_EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V_CE = 25 V, E = 0)
BPX 38
Symbol
Symbol
λ_{S max}
λ_10%
A
Values
Werte
880
Unit
Einheit
nm
450 ... 1120 nm
0.675
mm²
LxW
ϕ
1.02 x 1.02
± 40
mm x
mm
°
I_PCB
1.8
μA
I_PCB
5.5
μA
C_CE
23
pF
C_CB
39
pF
C_EB
47
pF
I_CE0
20 (≤ 100)
nA
2014-01-14
3