|
LAE65F Datasheet, PDF (1/13 Pages) OSRAM GmbH – Power TOPLED With Lens Enhanced Thin Film LED | |||
|
Power TOPLED® With Lens
Enhanced Thin Film LED
LA E65F
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
⢠Gehäusetyp: weiÃes P-LCC-4 Gehäuse,
farbloser klarer Verguss
⢠Besonderheit des Bauteils: fokussierte
Abstrahlung in SMT-Technologie; hohe
Helligkeit in Achsrichtung
⢠Wellenlänge: 617 nm (amber)
⢠Abstrahlwinkel: 60°
⢠Technologie: InGaAlP
⢠optischer Wirkungsgrad: 43 lm/W
⢠Gruppierungsparameter: Lichtstärke,
Durchflussspannung, Wellenlänge
⢠Verarbeitungsmethode: für alle
SMT-Bestücktechniken geeignet
⢠Lötmethode: IR Reflow Löten und
Wellenlöten (TTW)
⢠Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2
⢠Gurtung: 12 mm Gurt mit 2000/Rolle,
ø330 mm
⢠ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-B
Anwendungen
⢠Ampelanwendung
⢠Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,
Displays, Werbebeleuchtung)
⢠Innen- und AuÃenbeleuchtung im Auto-
mobilbereich (z.B. Instrumentenbeleuchtung
und Bremslichter)
⢠Ersatz von Kleinst-Glühlampen
⢠Markierungsbeleuchtung (z.B. Stufen,
Fluchtwege, u.ä.)
⢠Signal- und Symbolleuchten
Features
⢠package: white P-LCC-4 package, colorless
clear resin
⢠feature of the device: focussed radiation in
SMT technology; high brightness in beam
direction
⢠wavelength: 617 nm (amber)
⢠viewing angle: 60°
⢠technology: InGaAlP
⢠optical efficiency: 43 lm/W
⢠grouping parameter: luminous intensity,
forward voltage, wavelength
⢠assembly methods: suitable for all
SMT assembly methods
⢠soldering methods: IR reflow soldering and
TTW soldering
⢠preconditioning: acc. to JEDEC Level 2
⢠taping: 12 mm tape with 2000/reel, ø330 mm
⢠ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-B
Applications
⢠traffic lights
⢠backlighting (LCD, switches, keys, displays,
illuminated advertising)
⢠interior and exterior automotive lighting
(e.g. dashboard backlighting and brake lights)
⢠substitution of micro incandescent lamps
⢠marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.)
⢠signal and symbol luminaire
2003-09-22
1
|
▷ |