FW389 Datasheet, PDF (5/8 Pages) ON Semiconductor – Complementary Dual Power MOSFET

FW389
RDS(on) -- VGS
[Pch]
500
Ta=25°C
450
400
--2A
350
300
250 ID= --1A
200
150
100
50
0
100
7
5
3
2
--2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| yfs | -- ID
IT16918
[Pch]
VDS= --10V
10
7
5
3
2
1.0
Ta=
--25^°C
75^°C
7
5
25^°C
3
2
0.1
--0.01
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
2 3 5 7 _--0.1 2 3 5 7 _--1.0
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
tf
td(on)
tr
2 3 5 7 _--10
IT16920
[Pch]
VDD= --50V
VGS= --10V
1.0
--0.1
23
--10
VDS= --50V
--9 ID= --2A
5 7 _--1.0
23
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
5 7 _--10
IT16922
[Pch]
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
5
10
15
20
25
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT16924
RDS(on) -- Ta
[Pch]
500
450
400
350
300
250
200
V ^{GS= --4.5V, I D= -V-V1G.G0SAS==----140.0.0VV, ,IIDD==---1-1.0.0AA}
150
100
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT16919
IS -- VSD
[Pch]
--10
7
5
VGS=0V
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
0
10000
7
5
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT16921
Ciss, Coss, Crss -- VDS [Pch]
f=1MHz
3
2
1000
7
5
Ciss
3
2
100
Coss
7
Crss
5
3
2
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
SOA
--100
7
5
3
2
--10 ^{IDP= --8A(PW≤10μs)}
7
5
3 ID= ^--2A
100_μs
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
DC _{operation(P1W00≤m10ss)}
5
3
2
Operation in this
area is limited by RDS(on).
IT13923
[Pch]
--0.01
7
5
Ta=25°C
Single pulse
3 When mounted on ceramic substrate
2
--0.001
(2000mm²Ã—0.8mm) 1unit
--0.1 ^{2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10 2 3 5 7--100 2 3}
5 7--100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT16925
No. A2066-5/8