ATP302 Datasheet, PDF (4/7 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

ATP302
--10
VDS= --36V
--9 _{ID= --70A}
--8
VGS -- Qg
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
20
40
60
80
100
120
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15346
PD -- Tc
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Case Temperature, Tc -- °C
IT15348
7
5
3
IDP= --280A
2
--100 ID= --70A
7
5
3
2
ASO
PW≤10μs
10100mm1ssms
100_μs ^10μs
--10
7
5
Operation in
3
this area is
2
limited by RDS(on).
--1.0
7
5
3
2 ^Tc=25°C
--0.1 ^{Single pulse}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
120
5 7 _--100
IT15347
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT10478
No. A1654-4/7