ATP108 Datasheet, PDF (4/7 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

ATP108
--10
VDS= --20V
--9 ID= --70A
--8
VGS -- Qg
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
10
20
30
40
50
60
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
70
70
80
IT15188
5
3 IDP= --210A
2
--100 ID= --70A
7
5
3
2
ASO
100m10sms
PW≤10μs
1ms ^100μs
10_μs
--10
7
5
Operation in
3 ^{this area is}
2 limited by RDS(on).
--1.0
7
5
3
2 Tc=25°C
--0.1 ^{Single pulse}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ²
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
120
3 57
IT15189
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Case Temperature, Tc -- °C
IT15190
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT15179
No. A1604-4/7