BBS3002 Datasheet, PDF (3/6 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

BBS3002
--10
VDS= --30V
--9 _{ID= --100A}
--8
VGS -- Qg
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
50
100
150
200
250
300
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT14181
PD -- Tc
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Case Temperature, Tc -- °C
IT14183
ASO
--1000
7
5
IDP= --400A
3
2
--100 ^{ID= --100A}
7
PW≤11000μμss10_μs
1ms
5
3
2
--10
7
5
3
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
DC _{o1p0er0amt1ios0nms}
2
--1.0
7
5
3
2
Tc=25°C
--0.1 ^{Single pulse}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain to Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
120
5 7 _--100
IT14182
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT14184
No. A1357-3/6