BBS3002 Datasheet, PDF (2/6 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

BBS3002
ID -- VDS
--200
Tc=25°C
--180
--140
--4V
--160
--120
--100
--80
--60
--40
--20
0
0
20
18
VGS= --3V
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain to Source Voltage, VDS -- V IT14173
RDS(on) -- VGS
ID= --50A
Single pulse
16
14
12
10
8
6
Tc=75°C
25°C
4
2
--25°C
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9 --10
Gate to Source Voltage, VGS -- V IT14175
| yfs | -- ID
3
2
VDS= --10V
100
7
5
25^°C
3
2
10
7
Tc=
--25^°C
75^°C
5
3
2
1.0
7
--0.1
23
5 7 _--1.0
23
5 7 _--10
23
5 7 _--100
5
VDD= --30V
3 ^{VGS= --10V}
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14177
2
td(off)
1000
7
5
tf
3
2
tr
100
7
5
--0.1
23
td(on)
5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
23
5 7 _--100
IT14179
--200
VDS= --10V
--180
ID -- VGS
--140
--160
--120
--100
--80
--60
--40
--20
0
0
12
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT14174
Single pulse
10
8
6
VVGGS=S=--4--V1,0IVD, ^=I _D--=50--A50A
4
2
0
--50 --25
0
25
50
75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IT14176
--1K
7
5
VGS=0V
3
2
Single pulse
IS -- VSD
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT17199
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
f=1MHz
2
Ciss
10000
7
5
3
2
1000
7
5
0
Coss
Crss
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain to Source Voltage, VDS -- V IT14180
No. A1357-2/6