NSB9435T1G_11 Datasheet, PDF (2/5 Pages) ON Semiconductor – High Current Bias Resistor Transistor

NSB9435T1G, NSV9435T1G
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance
Junction−to−Case
Junction−to−Ambient on 1 sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material
Junction−to−Ambient on 0.012 sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8 from case for 5 s
Symbol
R_qJC
R_qJA
R_qJA
T_L
Value
42
80
174
260
Unit
_C/W
_C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A = 25C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I_C = 10 mAdc, I_B = 0 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Emitter−Base Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IE = 50 mAdc, IC = 0 Adc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector Cutoff Current}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ (V_CE = 25 Vdc)
(V_CE = 25 Vdc, T_J = 125C)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Emitter Cutoff Current}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(VBE = 5.0 Vdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{ON CHARACTERISTICS (Note 1)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Emitter Saturation Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ (I_C = 0.8 Adc, I_B = 20 mAdc)
(I_C = 1.2 Adc, I_B = 20 mAdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Base−Emitter Saturation Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{Base−Emitter On Voltage}
(I_C = 1.2 Adc, V_CE = 4.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{DC Current Gain}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc)}
(I_C = 1.2 Adc, V_CE = 1.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _Resistor
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{DYNAMIC CHARACTERISTICS}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Output Capacitance}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Input Capacitance}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{(VEB = 8.0 Vdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{Current−Gain − Bandwidth Product (Note 2)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{(IC = 500 mA, VCE = 10 V, Ftest = 1.0 MHz)}
V_CEO(sus)
30
V_EBO
6.0
I_CER
−
−
I_EBO
−
V_CE(sat)
−
−
−
V_BE(sat)
−
V_BE(on)
−
h_FE
125
110
90
R1
7.5
C_ob
−
C_ib
−
f_T
−
−
−
−
−
−
0.155
−
−
−
−
220
−
−
10
100
135
110
−
−
20
200
700
0.210
0.275
0.550
1.25
1.10
−
−
−
12.5
150
−
−
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
Vdc
Vdc
Vdc
−
kW
pF
pF
MHz
1. Pulse Test: Pulse Width  300 ms, Duty Cycle  2%.
2. f_T = |h_FE| S f_test
http://onsemi.com
2