NSB9435T1G_11 Datasheet, PDF (1/5 Pages) ON Semiconductor – High Current Bias Resistor Transistor

NSB9435T1G,
NSV9435T1G
High Current Bias Resistor
Transistor
PNP Silicon
Features
 Collector −Emitter Sustaining Voltage −
V_CEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ I_C = 10 mAdc
 High DC Current Gain −
h_FE = 125 (Min) @ I_C = 0.8 Adc
= 90 (Min) @ I_C = 3.0 Adc
 Low Collector −Emitter Saturation Voltage −
V_CE(sat) = 0.275 Vdc (Max) @ I_C = 1.2 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ I_C = 3.0 Adc
 SOT−223 Surface Mount Packaging
 ESD Rating − Human Body Model: Class 1B
− Machine Model: Class B
 AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements
 These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant*
MAXIMUM RATINGS (T_C = 25C unless otherwise noted)
Rating
Symbol Value Unit
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Emitter Voltage}
V_CEO
30
Vdc
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector−Base Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Emitter−Base Voltage}
V_CB
45
Vdc
V_EB
 6.0
Vdc
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Base Current − Continuous
I_B
1.0
Adc
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Collector Current
Continuous
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _Peak
I_C
Adc
3.0
5.0
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Total Power Dissipation}
P_D
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{@ T}C ^{= 25_C}
Derate above 25_C
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Total PD @ TA = 25_C mounted on 1 sq.
(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Total PD @ TA = 25_C mounted on 0.012
sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ material
W
3.0 mW/_C
24
W
1.56
W
0.72
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Operating and Storage Junction
Temperature Range
T_J, T_stg – 55 to
_C
+ 150
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum}
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
1
December, 2011 − Rev. 7
http://onsemi.com
POWER BJT
I_C = 3.0 AMPERES
BV_CEO = 30 VOLTS
V_CE(sat) = 0.275 VOLTS
SOT−223
CASE 318E
STYLE 1
COLLECTOR 2, 4
BASE
1
EMITTER 3
MARKING DIAGRAM
AYW
9435R G
G
1
A
= Assembly Location
Y
= Year
W
= Work Week
9435R = Device Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping^†
NSB9435T1G
NSV9435T1G
SOT−223
(Pb−Free)
SOT−223
(Pb−Free)
1,000/Tape & Reel
1,000/Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Publication Order Number:
NSB9435T1/D