NSB9435T1 Datasheet, PDF (2/8 Pages) ON Semiconductor – High Current Bias Resistor Transistor

NSB9435T1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A = 25°C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Collector–Emitter Sustaining Voltage
(I_C = 10 mAdc, I_B = 0 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Emitter–Base Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IE = 50 mAdc, IC = 0 Adc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector Cutoff Current}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(VCE = 25 Vdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^(VCE ^=25Vdc,TJ ^=125°C)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Emitter Cutoff Current
(V_BE = 5.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{ON CHARACTERISTICS (Note 1)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector–Emitter Saturation Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)}
(I_C = 3.0 Adc, I_B = 0.3 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Base–Emitter Saturation Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Base–Emitter On Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{DC Current Gain}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ (I_C = 0.8 Adc, V_CE = 1.0 Vdc)
(I_C = 1.2 Adc, V_CE = 1.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _Resistor
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{DYNAMIC CHARACTERISTICS}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Output Capacitance}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Input Capacitance}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ (VEB = 8.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Current–Gain – Bandwidth Product (Note 2)
(I_C = 500 mA, V_CE = 10 V, F_test = 1.0 MHz)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{1. Pulse Test: Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle ≤2%.}
V_CEO(sus)
30
V_EBO
6.0
I_CER
–
–
I_EBO
–
V_CE(sat)
–
–
–
V_BE(sat)
–
V_BE(on)
–
h_FE
125
110
90
R1
7.5
C_ob
–
C_ib
–
f_T
–
–
–
–
–
–
0.155
–
–
–
–
220
–
–
10
100
135
110
Vdc
–
Vdc
–
µAdc
20
200
mAdc
700
Vdc
0.210
0.275
0.550
Vdc
1.25
Vdc
1.10
–
–
–
–
12.5
kW
pF
150
pF
–
MHz
–
2. f_T = |h_FE| S f_test
http://onsemi.com
2