NSB9435T1 Datasheet, PDF (1/8 Pages) ON Semiconductor – High Current Bias Resistor Transistor

NSB9435T1
Preferred Device
High Current Bias
Resistor Transistor
PNP Silicon
• Collector –Emitter Sustaining Voltage –
V_CEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ I_C = 10 mAdc
• High DC Current Gain –
h_FE = 125 (Min) @ I_C = 0.8 Adc
= 90 (Min) @ I_C = 3.0 Adc
• Low Collector –Emitter Saturation Voltage –
V_CE(sat) = 0.275 Vdc (Max) @ I_C = 1.2 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ I_C = 3.0 Adc
• SOT–223 Surface Mount Packaging
• ESD Rating – Human Body Model: Class 1B
ESD Rating – Machine Model: Class B
MAXIMUM RATINGS (T_C = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector–Emitter Voltage}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector–Base Voltage}
V_CEO
V_CB
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Emitter–Base Voltage}
V_EB
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Base Current – Continuous}
I_B
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector Current – Continuous}
I_C
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Collector Current – Peak}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Total Power Dissipation @ TC = 25_C}
P_D
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Derate above 25_C}
Total P_D @ T_A = 25_C mounted on 1″
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{sq. (645 sq. mm) Collector pad on}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ FR–4 bd material
Total P_D @ T_A = 25_C mounted on
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{0.012″ sq. (7.6 sq. mm) Collector}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ pad on FR–4 bd material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Operating and Storage Junction
Temperature Range
T_J, T_stg
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{THERMAL CHARACTERISTICS}
Value
30
45
±6.0
1.0
3.0
5.0
3.0
24
1.56
0.72
–55 to
+150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Watts
mW/_C
Watts
Watts
_C
Characteristic
Symbol
Max
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{Thermal Resistance – Junction to Case R}θJC
42
– Junction to Ambient on 1″ sq.
R_θJA
80
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(645 sq. mm) Collector pad on}
FR–4 board material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{– Junction to Ambient on 0.012″ sq.}
R_θJA
174
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{(7.6 sq. mm) Collector pad on FR–4}
board material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Maximum Lead Temperature for}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ _{Soldering Purposes, 1/8″ from}
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ^{case for 5 seconds}
T_L
260
Unit
_C/W
_C
http://onsemi.com
POWER BJT
I_C = 3.0 AMPERES
BV_CEO = 30 VOLTS
V_CE(sat) = 0.275 VOLTS
COLLECTOR 2,4
BASE
1
EMITTER 3
4
1
2
3
SOT–223
CASE 318E
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
9435R
9435R = Device Code
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
NSB9435T1
SOT–223 1000/Tape & Reel
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
1
April, 2002 – Rev. 2
Publication Order Number:
NSB9435T1/D