EN2006D Datasheet, PDF (2/7 Pages) ON Semiconductor – Bipolar Transistor

2SA1417 / 2SC3647
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=(--)100V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)5V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)100mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)1A, IB=(--)100mA
IC=(--)1A, IB=(--)100mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
* : The 2SA1417 / 2S3647 are classified by 100mA hFE as follws :
Rank
R
S
hFE
100 to 200
140 to 280
T
200 to 400
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
OUTPUT
INPUT
VR
RB
RL
50Ω
+
+
100μF
470μF
VBE= --5V
VCC=50V
IC=10IB1= --10IB2=0.7A
For PNP, the polarity is reversed.
Ratings
min
typ
100*
(--)120
(--)100
(--)6
120
(25)16
(--0.22)0.13
(--)0.85
(80)80
(750)1000
(40)50
max
(--)100
(--)100
400*
(--0.6)0.4
(--)1.2
Unit
nA
nA
MHz
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Ordering Information
Device
2SA1417S-TD-E
2SA1417T-TD-E
2SC3647S-TD-E
2SC3647T-TD-E
Package
PCP
PCP
PCP
PCP
Shipping
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
memo
Pb Free
No.2006-2/7