30A02MH Datasheet, PDF (2/6 Pages) Sanyo Semicon Device – Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

30A02MH
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB= --30V, IE=0A
VEB= --4V, IC=0A
VCE= --2V, IC= --10mA
VCE= --10V, IC= --50mA
VCB= --10V, f=1MHz
IC= --200mA, IB= --10mA
IC= --200mA, IB= --10mA
IC= --10μA, IE=0A
IC= --1mA, RBE=∞
IE= --10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
50Ω
+
220μF
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --300mA
OUTPUT
RL
+
470μF
VCC= --12V
Ordering Information
Device
30A02MH-TL-E
30A02MH-TL-H
Package
MCPH3
MCPH3
Shipping
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
Ratings
min
typ
200
520
4.7
--110
--0.9
--30
--30
--5
35
125
25
max
--100
--100
500
--220
--1.2
Unit
nA
nA
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
memo
Pb Free
Pb Free and Halogen Free
IC -- VCE
--700
--600
--30mA--25mA ^--20mA--15mA
--10mA
--500
--7mA
--5mA
--400
--3mA
--2mA
--300
--1mA
--200
--500μA
--100
0
IB=0
0 --100 --200 --300 --400 --500 --600 --700 --800 --900 --1000
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV IT05049
--800
--700
--600
--500
--400
--300
--200
--100
0
0
IC -- VBE
VCE= --2V
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT05050
No.7359-2/6