NTE2969 Datasheet, PDF (1/3 Pages) NTE Electronics – MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

NTE2969
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Avalanche Rugged Technology
D Rugged Gate Oxide Technology
D Low Input Capacitance
D Improved Gate Charge
D Extended Safe Operating Area
D Lower Leakage Current
D Low Static Drain–Source On–State Resistance
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, V_DSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
Drain Current, I_D
Continuous
T_C = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
T_C = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15.1A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A
Gate–Source Voltage, V_GS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V
Gate Current (Pulsed), I_GM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±1.5A
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E_AS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1429mJ
Avalanche Current (Note 1), I_AS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27.8mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0V/ns
Total Power Dissipation (T_C = +25°C), P_D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 278W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.22W/°C
Operating Junction Temperature Range, T_J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, T_stg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Thermal Resistance:
Maximum Junction–to–Case, R_thJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.45°C/W
Typical Case–to–Sink, R_thCS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.24°C/W
Maximum Junction–to–Ambient, R_thJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. L = 4mH, I_AS = 25A, V_DD = 50V, R_G = 27Ω, Starting T_J = +25°C.
Note 3. I_SD ≤ 25A, di/dt ≤ 320A/µs, V_DD ≤ BV_DSS, Starting T_J = +25°C.