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NTE2942 Datasheet, PDF (1/3 Pages) NTE Electronics – MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch | |||
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NTE2942
MOSFET
NâChannel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Low Static DrainâSource ON Resistance
D Improved Inductive Ruggedness
D Fast Switching Times
D Low Input Capacitance
D Extended Safe Operating Area
D TO220 Type Isolated Package
Absolute Maximum Ratings:
DrainâSource Voltage (Note 1), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
DrainâGate Voltage (RGS = 1Mâ¦, Note 1), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
GateâSource Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Drain Current, ID
Continuous
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.7A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8A
Pulsed (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56A
Gate Current (Pulsed), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±1.5A
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28mJ
Avalanche Current, IAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.7A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.28W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . â55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . â55° to +150°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8â from case, 5sec), TL . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Thermal Resistance:
Maximum JunctionâtoâCase, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.57K/W
Typical CaseâtoâSink (Mounting surface flat, smooth, and greased), RthCS . . . . . . . 0.5K/W
Maximum JunctionâtoâAmbient (Free Air Operation), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5K/W
Note 1. TJ = +25° to +150°C.
Note 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 3. L = 0.53mH, VDD = 25V, RG = 25â¦, Starting TJ = +25°C.
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