NTE2399 Datasheet, PDF (1/3 Pages) NTE Electronics – MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

NTE2399
MOSFET
N–Ch, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Dynamic dv/dt Rating
D Repetitive Avalanche Rated
D Fast Switching
D Ease of Paralleling
D Simple Drive Requirements
Absolute Maximum Ratings:
Continuous Drain Current (V_GS = 10V), I_D
T_C = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1A
T_C = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0A
Pulsed Drain Current (Note 1), I_DM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A
Power Dissipation (T_C = +25°C), P_D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C
Gate–to–Source Voltage, V_GS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), E_AS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280mJ
Avalanche Current (Note 1), I_AR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0V/ns
Operating Junction Temperature Range, T_J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, T_stg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T_L . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Mounting Torque (6–32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfin (1.1Nm)
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W
Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, Greased Surface), R_thCS . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W
Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. V_DD = 50V, starting T_J = +25°C, L = 55mH, R_G = 25Ω, I_AS = 3.1A
Note 3. I_SD ≤ 3.1A, di/dt ≤ 80A/µs, V_DD ≤ 600V, T_J ≤ +150°C
Note 4. Pules Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.