PDM5001_15 Datasheet, PDF (3/3 Pages) National Instruments Corporation – MOSFET

QS043-401M0545 (4/4)
ç
̢̨̛̤̩̚ç ̴̢̳̻̾̈́ʵ̙̰̻̈́ç ç ççççç̑̌̌ ̖ɼ̫̍̌̌ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ̢̥̙̑̌̌̍ç
ç
ç
ç
ç
ç
Fig.7- Drain Current vs. Switching Time (Typical)
ç
1
ç
td(off)
ç
Fig.8- Source to Drain Diode
Forward Characteristics (Typical)
1000
ç
0.3
ç
ç
ç
0.1
ç
ç
800
tr
td(on)
600
tf
400
T_J=125℃
T_J=25℃
ç
0.03
ç
ç
ç
0.01
5
10
ç
ç
30
100
Drain Current ID (A)
VDD=50V
RG=1.0Ω
TC=25℃
300 500
200
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Source to Drain Voltage VSD (V)
ç
ç
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
ç
300
-IS=500A
ç
TJ=125℃
ç
ç
trr
100
ç
ç
ç
ç
30
ç
IRrM
ç
ç
ç
10
0
200
400
600
800
1000
1200
ç
-di/dt (A/μs)
ç
ç
ç
Fig.10- Maximun Transient Thermal Impedance
ç
1
ç
ç
3x10 ^-1
ç
ç
1x10 ^-1
ç
ç
3x10 ^-2
ç
ç
1x10 ^-2
ç
ç
3x10 ^-3
ç
1x10 ^-3
ç
10 ^-5
10 ^-4
10 ^-3
10 ^-2
10 ^-1
1
10 ¹
ç
SQUARE WAVE PULSE DURATION t (s)
ç
̌̍ç
೔ຊΠϯλʔࣜגձࣾ