PHMB600BS12_15 Datasheet, PDF (1/4 Pages) National Instruments Corporation – IGBT

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(E)
(C)
(E)
2
1
4
(G)
3
６００ Ａ，１２００Ｖ
QS043-402-（2/5）
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
110
93 ^±0.25
4 - Ø6.5
2 -M8
4 - Ø6.5
4
2 -M6
1
2
3
2 -M4 ^{13 21}
29
2 -M4
108
93
9
2
1
4
3
24 20 29
11
LABEL
LABEL
PH MB600BS12
PH MB600BS12C
Dimension:ï¼»mmï¼½
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ_{ＣＥＳ}
１，２００
Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ_{ＧＥＳ}
±２０
Ｖ
コレクタ電流
ï¼£ollector ï¼£urrent
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
Ｉ_Ｃ
Ｉ_ＣＰ
ï¼°_ï¼£
６００
Ａ
１，２００
３，６００
ï¼·
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔ_ｊ
－４０～＋１５０
℃
保存温度
ï¼³torage ï¼´emperature ï¼²ange
Ｔ_{ｓｔｇ}
－４０～＋１２５
℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｖ_{ＩＳＯ}
２,５００
Ｖ_{（ＲＭＳ）}
締 め 付 け ト ル ク ^{Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink}
ï¼­ounting ï¼´orque
ï¼¢usbar to ï¼´erminals
Ｆ_{ｔｏｒ}
３（３０.６）
PHMB600BS12 ^{Ｍ４ １ ４（１４ ３） PHMB600BS12C}
３（３０.６）
Ｎ・ｍ
Ｍ４ １ ４（１４ ３） _{(kgf･cm)}
Ｍ８ １０ ５(１０７)
Ｍ６ ３(３０ ６)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
Ｉ_{ＣＥＳ}
Ｖ_ＣＥ= 1200V,Ｖ_ＧＥ= 0V
－
－
.０ ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｉ_{ＧＥＳ}
Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）} Ｉ_Ｃ= 600A,Ｖ_ＧＥ= 15V
－
２.３ ２.７
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}
Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 600mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃ_{ｉｅｓ}
Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ
－
37,800
－
ｐＦ
スイッチング時間
ï¼³witching ï¼´ime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
ï¼²ise ï¼´ime
ï¼´urn-on ï¼´ime
Ｆall Ｔime
ï¼´urn-off ï¼´ime
ｔ_ｒ
ｔ_ｏｎ
ｔ_ｆ
ｔ_{ｏｆｆ}
Ｖ_ＣＣ= 600V
Ｒ_L= 1.0Ω
Ｒ_G= 2.7Ω
Ｖ_ＧＥ= ±15V
－
０.２５ ０.４５
－
０.４０ ０.７０
μｓ
－
０.２５ ０.３５
－
０.８０ １.１０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
Ｉ_Ｆ
Ｉ_ＦＭ
６００
Ａ
１,２００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
ï¼²everse ï¼²ecovery ï¼´ime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｖ_Ｆ
ｔ_ｒｒ
Ｉ_Ｆ= 600A,Ｖ_ＧＥ= 0V
Ｉ_Ｆ= 600A,Ｖ_ＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 1200A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ï¼²th(j-c) Junction to Case
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
２.２ ２.６
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－ ０.０３５ _{℃／Ｗ}
－ ０.０７１
00
日本インター株式会社