JT015N120ANAD Datasheet, PDF (4/11 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – IGBT

R
JT015N120ANAD/WAD
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
t_d(on) V_CE=600V,I_D=15A,R_G=56Ω - 70
ns
上升时间 Turn-On rise time
t_r
T_C=25℃
- 150
ns
延迟时间 Turn-Off delay time
t_d(off)
- 300
ns
下降时间 Turn-Off Fall time
t_f
- 80
ns
Turn-on energy
E_on
2.3
mJ
Turn-off energy
E_off
1.3
mJ
Total switching energy
E_total
3.6
mJ
V_CE =960V ,
栅极电荷总量 Total Gate Charge Q_g
I_C=15A
- 85
nC
V_GE=15V （note 3，4）
反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向压降
Drain-Source Diode Forward
V_F
Voltage
V_GS=0V, I_S=15A
- - 2.9 V
反向恢复时间
Diode Reverse recovery time
t_rr
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Q_rr
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
V_GE=0V, VR=800V I_S=10A
dI_F/dt=750A/μs (note 4)
- 150 - ns
- 1.2 - μC
项目
Parameter
符号
Symbol
最大
Max
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to
Ambient
R_th(j-c)
R_th(j-A)
0.6
℃/W
40
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：两次短路之间的间隔大于 1 秒时，允许短路测试
的次数最大为 1000 次
3：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
4：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：Allowed number of short circuits: <1000; time
between short circuits: >1s.
3：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
4：Essentially independent of operating temperature
版本：201007A
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