JT015N120ANAD Datasheet, PDF (1/11 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – IGBT

IGBT
R
JT015N120ANAD/WAD
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IC
15 A
VCES
1200 V
Vcesat（@Vge=15V） 2.4V
用途
 逆变器
 电磁炉
 UPS 电源
APPLICATIONS
 General purpose inverters
 Induction heating(IH)
 UPS
产品特性
 低栅极电荷
NPT 技术,正温度系数
通态压降, VCE(sat), typ
= 2.4V @ IC = 15A
and TC = 25°C
RoHS 产品
FEATURES
Low gate charge
NPT Technology, Positive
temperature coefficient
 saturation voltage:
VCE(sat), typ = 2.4V @
IC = 15A and TC = 25°C
RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
封装
Package
JT015N120ANAD JT015N120ANAD TO-3PN
JT015N120WAD JT015N120WAD TO-247
无卤素
包
装
Halogen Free Packaging
否 NO
否 NO
条管 Tube
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
6 g(typ)
6 g(typ)
版本：201007A
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