JCS75N75F Datasheet, PDF (4/11 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – High efficiency switching DC/DC converters and

R
JCS75N75F
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
tB_dB(on)
VB_DDB=38V,IB_DB=40A,RB_GB=25Ω
- 16
ns
上升时间 Turn-On rise time
t_rB B
（note 4，5）
- 54
ns
延迟时间 Turn-Off delay time
tB_dB(off)
- 55
ns
下降时间 Turn-Off Fall time
t_fB B
- 35
ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge
Q_gB
B
栅－源电荷 Gate-Source charge
Q_gs B
B
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
Q_gd B
B
V_DS B
B
=30V
,
- 74
nC
IB_DB=40A
- 17 - nC
V_GS B
B
=10V
（note 4，5）
-
22
-
nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
I_SB
B
- - 75 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I_SM B
B
- - 300 A
Drain-Source Diode Forward
V_SD B
B
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
t_rrB
B
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Q_rrB
B
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
VB_GSB=0V,
IB_SB=75A
- - 1.4 V
VB_GSB=0V, IB_SB=40A
dIB_FB/dt=100A/μs (note 4)
- 88 - ns
- 233 - μC
最大
符号
Max
Symbol
JCS75N75CF/SF JCS75N75FF
单位
Unit
R_th(j-c)
0.60
3.41
℃/W
R_th(j-A)
62.5
62.5
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=10mH, IB_ASB=15A, RB_GB=25 Ω,起始结温TB_JB=25℃
3：I_SD B
B
≤100A,di/dt
≤100A/μs,VDD≤BVB_DSSB,起始结温
TB_JB=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=10mH, IB_ASB=15A, RB_GB=25 Ω,Starting TB_JB=25℃
3：I_SD B
B
≤100A,di/dt
≤100A/μs,VDD≤BVB_DSSB,
Starting
TB_JB=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201504B
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